型号:IRF5852TR | 类别:FET - 阵列 | 制造商:International Rectifier |
封装:6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 90 毫欧 @ 2.7A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.25V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 6nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 400pF @ 15V |
功率_最大 | 960mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro6?(TSOP-6) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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